2026-08-02 群聊情报简报

📊 今日概览

• 总解析消息数：3935 条，过滤后有效消息数：3870 条，文本总长度：252868 字符。
• 活跃度：从凌晨 00:00 持续至深夜 23:50，全天技术讨论密集，活跃发言 ID 约 40+。
• 主要话题：
• G4 HRTIM 占空比异常 bug 的深入剖析与规避方案
• CRM 临界导通模式讨论及 GaN/Si 器件选型之争
• PFC 调试炸机经验与排查流程
• C2000 与 STM32 主控选型功耗与生态对比
• 电赛测评现场设备、负载准备与赛题难度评价

🔥 核心讨论

1. G4 HRTIM 占空比异常 bug

• 讨论焦点：STM32G474 HRTIM 在占空比接近极限时输出极性反转、方波等异常。
• 关键观点与结论：
• 该 bug 为硬件问题，ST 官方已承认，非软件可解。
• 触发条件与占空比限幅相关：限幅 96%-99% 可避免进入 bug 区。
• 使用 CCR2 做比较时，占空比给 0 会输出反向波，CCR1 则正常。
• 高精度 PWM 场景（100-200kHz）受影响严重，普通高级定时器无此问题。
• 解决方案：软件限幅、换 C2000、使用双比较器缓解。
• 核心参与者：想神、カ、C（Chuaaa）、W.、林、52Hz. 等。
• 具体细节：想神曾因该 bug 炸掉一堆管子，把限幅改成 96% 后正常；カ指出 99% 限幅可避坑；W. 表示 5 月用 98% 限幅未遇到问题。

2. CRM 临界导通模式与器件选型

• 讨论焦点：CRM 的可行性、实现要点及是否该用宽禁带器件。
• 关键观点与结论：
• CRM 不难调，比 QPR 简单，但主控必须用 DSP，STM32 干不了，需用电感电流拐点触发 ePWM。
• CRM 必须用铁氧体电流互感器，不能有直流分量，且必须交错（interleaving）才能发挥作用。
• CRM 下推荐使用硅 MOSFET，GaN 会瞬爆；软开关是 GaN 唯一出路，但既然软开关，Si 内阻更低、成本更低、效率更高。
• 电感取值：用铁硅铝磁环绕 470μH 或 330μH，频率不会失控。
• 双向流动场景 CRM 也可实现（老张已解决）。
• 核心参与者：辽（AAA辽宁重型机械厂）、C（Chuaaa）、e、ㅤ、沙* 等。
• 具体细节：辽* 强调 CRM 工作流程为电感电流到饱和拐点关断→续流→电流为 0 续流终止→再憋劲；电流采样带宽必须很高，要把开关频率纹波采进来。

3. PFC 调试炸机与排查

• 讨论焦点：林* 同学调试 PFC 时联机炸机、栅极电阻调整等。
• 关键观点与结论：
• 联机炸机大概率是代码整合问题，单跑旧代码正常。
• 栅极电阻从 5Ω+3Ω 改为 30Ω+15Ω 后不再炸管。
• PFC 开环必炸，必须闭环加软启动。
• 低压调试时可降低电压验证硬件，再接市电。
• 测量高压必须用差分探头，不能剪示波器地线。
• 核心参与者：林、想神、且惜、氮、MiniSentry 等。
• 具体细节：林* 一个人全栈搓出 80V/110W PFC，压力测试 1 小时；后转移至新程序（PFC+三相逆变）上电秒炸，炸了 4 个 MOS。通过测 Vgs/Vds 定位到栅极电阻问题，调整后正常。

4. C2000 与 STM32 主控之争

• 讨论焦点：C2000 与 STM32G4 系列在电源控制中的适用性、功耗、生态。
• 关键观点与结论：
• STM32 生态好，CubeMX 配置方便；C2000 需手写寄存器，较繁琐。
• C2000 功耗偏高（单芯片约 300mW-1W），但可通过禁用内部 LDO 降低；STM32 低功耗方案更成熟。
• C2000 采样和 PWM 精度高，但 HRTIM bug 让部分用户转投 C2000。
• 电赛电源方向推荐 C2000，STC 性价比低。
• C2000 的 SysConfig 配置外设约 30 分钟，与 CubeMX 相当。
• 核心参与者：锦、想神、C（Chuaaa）、me、W.、看 等。
• 具体细节：me 今年用 STM32 效率 96%（未降频），用 C2000（0049）效率 94%（降频）；锦* 指出 C2000 最大优势在采样，但功耗高。

5. 电赛测评现场与负载准备

• 讨论焦点：测评现场设备、负载电阻、接线方式等。
• 关键观点与结论：
• 现场不提供负载，需自带，三相负载 100Ω 合适。
• 现场提供万用表、示波器、漏电保护器、变压器、调压器，但负载电阻阻值不合适可现场并联。
• 输出端功率因数角按阻性负载接近 1 计算。
• 今年电赛 G 题不难，有队伍两天完成；明年可能加大难度。
• 核心参与者：氮、想神、W.、看、C4 等。
• 具体细节：氮* 买了三个 50Ω/500W 负载共 200 元；有队伍加急买 100Ω 三相负载花了 1000 多元。

💡 技术/价值沉淀

• RC 吸收参数推荐：Vienna 整流器内管 RC 吸收最终参数为电阻 47Ω/3W，电容 2.2nF（222），耐压≥650V（用 1kV 小蓝豆）；栅极串联电阻 1/4W 即可。
• 电感计算公式：L = 0.3 × Vdc / (fsw × Imax)，Vdc 为直流正负母线间电压，Imax 为最大直流电流。
• ADC 采样滤波：电荷桶滤波（4.7nF+100Ω）紧靠引脚；差分信号需双绞且与电源同排线。
• INA240 缺点：精度高但共模耐受差，交流采样易炸，可用互感器替代。
• 无桥 PFC 用 PR 控制，功率因数轻松 0.998；用 DQ 控制功率因数不好看。
• GaN 没有体二极管，死区时间靠第三象限导通续流，电流越大压降越大；没有反向恢复但很脆。
• 反激辅助电源：800V 维也纳 PFC 的辅源开关管建议用 MOS，耐压 900V-1kV，IGBT 开关速度不够。
• MPS 芯片申请：学生可免费申请，链接为 MPS 校园计划，推荐型号 MP1924/MP1923 栅极驱动、MP4583 DCDC。
• 磁环选材：CRM 电感必须用绿环（铁硅铝），黑环不行。

🔄 历史话题追踪

• [t_cebf7813] GaN 与硅效率对比（🔄进行中）：今日深入 CRM 场景，明确 GaN 易爆、软开关是唯一出路，但既然软开关用 Si 更优；GaN 短路耐受时间短。
• [t_0a03bdaf] CRM 模式为不可预测系统（🔄进行中）：今日确认 CRM 可实现，需 DSP + CMPSS 触发，电感拐点控制，推荐硅管。
• [t_34aa42f1] 电赛系统主控与器件选型（🔄进行中）：今日 C2000 vs STM32 争论延续，电源控制推荐 C2000，STM32 生态好但 HRTIM 有 bug。
• [t_17574902] STG474 死区时间 BUG（🔄进行中）：今日确认 HRTIM 占空比异常 bug，限幅 96%-99% 可规避，官方承认硬件问题。
• [t_cdbd969f] STM32G474 HRTIM 占空比 0 输出 50% 缺陷（🔄进行中）：今日详细讨论，触发条件与 CCR2 比较相关，软件限幅有效。
• [t_42498516] UCC21520 驱动电路烧毁与假芯片鉴别（🔄进行中）：今日继续多例假芯片故障，推荐 NSI6602 替代。
• [t_a726a368] UCC21520 假芯片引发大规模故障（🔄进行中）：今日多起故障报告，NSI6602 获推荐。
• [t_bbf74822] 磁环选材（🔄进行中）：今日明确 CRM 电感必须用绿环，黑环不行。
• [t_1b7212a2] PFC 开环必炸（🔄进行中）：今日多人强调，开环调试极危险。
• [t_c3bb0956] PFC+三相逆变级联启动异常（🔄进行中）：今日有林* 整合代码后炸机案例，换回旧代码正常，怀疑整合问题。
• [t_09d731c0] PFC 启机大电流冲击（🔄进行中）：今日通过栅极电阻调整（30Ω+15Ω）解决炸管，启动软启动设计仍需关注。
• [t_1619253d] INA240 非隔离交流采样共模风险（🔄进行中）：今日确认 INA240 不耐共模、易炸，建议换互感器。

⚠️ 争议与未决问题

• G4 HRTIM bug 的完整触发条件（分频、限幅具体值）尚未有官方定论，只能靠经验规避。
• 贼船套件是否违规、是否会被举报，未形成定论。
• 800V 维也纳反激辅助电源的具体开关管型号未确定，仅知用 MOS 耐压 900V-1kV。
• UC3845 做 Vienna 反激辅源的测试方案未最终确认，有人建议倍压整流或换 UCC28 系列。
• 栅极驱动器供电用 2W 小黑块产生尖峰的原因未定位。
• 国产反激 IC 丝印异常（打 ON 标且重影）疑为冒牌，未确认。

📊 活跃度洞察

• 全天讨论强度高，从凌晨持续到深夜，话题覆盖器件选型、电路调试、竞赛经验。
• 多位资深工程师（辽、涛、W. 等）分享实战参数和排错思路，新人提问也能得到快速回应。
• 实战案例丰富（炸机、bug、假芯片），讨论质量高，偏工程实践。

📅 Appendix: 话题时间线

• 00:00-00:45: 老功率分析仪拆机讨论：DSP 架构、电容选型。
• 00:46-01:08: 电赛作品回顾、GaN 充电器效率猜测、CRM 可行性初探。
• 01:08-01:38: 三电平拓扑路径问题、OLED 转 LED 传闻、DSP 选型。
• 01:40-02:18: FFT 与定点 DSP、电源故障图片、AI 服务器电源。
• 03:24-04:23: 悬浮隔离电源变压器绕制（EE25 4+4 绕组）、平面变压器批判。
• 08:28-09:44: 电源学习路径（Buck 入门）、电赛测评地点。
• 09:47-10:41: GS 并联电阻作用、PFC 整流启动电流、DAB 与 LLC 对比、林* 炸机过程。
• 10:44-11:26: 林* PFC 参数与栅极电阻调整、低压调试方法、隔离需求讨论。
• 11:27-12:03: 栅极驱动器 EG3118 使用经验、INA240 缺点、电源类比赛途径。
• 12:06-12:40: STM32 假芯片识别、G4 HRTIM bug 深入讨论、C2000 PWM 原理。
• 12:41-12:53: 功耗对比、开关频率与中断时间、boost PFC 争议、华为杯。
• 12:56-13:31: 考研院校、CCS 版本、竞赛现场设备、Vienna 三相采样方案。
• 13:32-14:42: C2000 LDO 讨论、无桥 PFC 效率、电赛测评功分、G4 内部运放、STC 批判。
• 14:55-15:59: MPS 芯片申请、栅极驱动选型（NSI6602）、电感公式。
• 16:00-17:14: 现场工具、CRM 深入讨论（DSP 必需、硅管推荐）。
• 17:35-18:07: GaN 易爆原因、尖峰抑制、测评时间。
• 18:08-18:50: 栅极供电尖峰、功率因数角测量、负载电阻购买。
• 19:05-19:51: Vienna RC 吸收参数确定、ADC 钳位二极管、国产反激 IC 丝印异常。
• 20:32-21:32: 电赛 G 题难度、AI 工具对比、Vienna 辅源测试、贼船套件讨论。
• 22:11-22:57: GaN 死区续流、热插拔 MOS 危险、反激 RCD 二极管、辅源开关管选型。
• 23:15-23:50: 采样线方案、空开方案、并网题目讨论。

2026-08-01 每日群聊情报简报

📊 今日概览

• 原始解析消息数：7179条
• 过滤后有效消息数：7078条
• 文本总长度：459242字符
• 活跃人数估算：约60+人参与技术讨论，核心发言者约30人
• 主要讨论话题列表：
• 电赛A题（三相逆变+PFC）系统调试，覆盖控制环、采样、驱动、炸机分析
• 辅助电源设计与优化，含LDO选型、耐压、取电位置
• 功率器件选型（MOS、GaN、SiC）与可靠性争议
• 控制算法（PR vs DQ、SOGI、双PR参数整定）
• 仪器仪表（示波器、功率分析仪、电流探头）与调试方法

🔥 核心讨论

1. 电赛A题系统调试（PFC+三相逆变）

讨论焦点

• 多支队伍调试PFC与三相逆变级联，出现波形异常、炸管、启动冲击、带载掉压等问题
• 重点关注控制环参数、调制方式、母线电压、采样准确性

关键观点与结论

• PFC电流内环不应滤除开关纹波，否则电流内环相位裕度不足，kp稍大即自激
• 母线电压必须高于输入峰值（>1.414倍有效值）才能正常发波整流，否则调制比猛增、电流冲击
• 级联时先让PFC稳压到目标值再开逆变，空载比带载更安全，但需辅助电源消耗或允许负电流指令
• 开关频率建议10kHz单极性倍频（中断20kHz）或20kHz，不宜过高（114.5kHz被批“挨崩”）
• 逆变闭环调不通时，可先跑开环拿基础分；先带载调电流内环，再逐步加外环
• 负载调整率不达标可通过增大外环Kr（如至60）和调wc改善，但需注意限幅

核心参与者

• 山所、想、辽、千、E工、A工、B工、C工、D工、林、氵、贺、不等

具体细节

• 整流双电感PFC参数：外环PI Kp=0.40、Ki=0.40；内环PR Kp=4、Kr=12、带宽5Hz；电流峰值指令上限5.8A，过流保护6.5A
• 逆变电压环Kp=0.015、Ki=0.25；输出电压斜坡1V/s；负载9Ω+1.5mH/相，Y接
• 外环参数安全范围：Kp上限0.05，Kr 10~30，wc取1~2；内环带宽必须高于外环
• 林*实测：38VAC输入→80VDC输出，180W，连续1小时，MOS温度36°C，后不明原因炸机
• 三相线电压测量必须三相全测，取最差一项；不平衡0.1V级可接受，0.2V以上需校采样
• 调制方式：SPWM/SVPWM均可用，DPWM效率更高但需注意自举电容≥10μF（推荐22μF）

2. 辅助电源与可靠性

讨论焦点

• 辅助电源频繁炸毁、取电位置、LDO选型、静态功耗优化

关键观点与结论

• 辅助电源宜从直流母线（电容后、采样前）取电，接整流桥后会影响功率因数
• 耐压等级必须足够：母线电压65V时，TPS34360DDAR（65V max）易炸，建议用LM5164或MPS4583（100V）
• 不推荐AMS1117（压降1.3V），应选低压差LDO（如压差50mV）直接给3.5V，可提升效率约0.3%
• VDD和VDDA不是同一电源域，需注意供电隔离
• 拆掉板载LED可省0.5W；关停不用的外设可降低功耗

核心参与者

• 氵、Z、M、不、想、万、辽*等

具体细节

• 氵*的辅助电源TPS34360DDAR（65V max）在挂接直流母线时炸毁，已使用近一年
• 不*使用LM5164Q，降压磁环电感090125；其G4供电2.5V，静态功耗0.448W
• 万*的LDO为AMS1117，静态功耗4.5W，效率93.4%，计划改电感提升约1%
• 哇*改用隔离方案（小黑块），整机效率提升，但成本高

3. 控制环参数整定（PR/PI）

讨论焦点

• 双PR、PI参数整定、限幅抗饱和、离散化（是否引入Ts）

关键观点与结论

• 外环PI必须引入执行频率（Ki需除以中断频率），否则参数无物理意义
• PI输出限幅过小（如±2A）可能导致环路无法调节，建议先放开限幅或设±10A
• 反算抗饱和优于输出限幅
• 内环PR的Kr不能超过母线电压（一般给Udc即可）
• 双PR外环参数过大容易饱和，需加限幅；内环Kr=80时外环Kp只能很小
• 空载调参必然失败，必须先带载调电流内环

核心参与者

• 山所、求工、新、不、千、澄、晋*等

具体细节

• 求工外环PI：kp=0.0005，Ki=0.0001，限幅±2A（被批太小）；山所建议kp=0.1，ki=5/20000（未引入Ts时）
• 新给出公式：ΔI = Kp(e[k]-e[k-1]) + KiTse[k]
• 千*内环Kr=80，外环Kp=0.01，被提醒内环Kr不能超过母线电压
• 澄*外环Kp=0.1、Kr=10，内环Kp=5、Kr=50，直接饱和，未定义限幅

4. 功率器件选型与炸机

讨论焦点

• MOS管选型、炸机原因、GaN/SiC可靠性

关键观点与结论

• 电赛低压场合不推荐GaN/SiC，硅MOS可靠性和性价比占优
• 1.5元一个的贴片MOS容易炸，建议用TO-220/TO-247直插，便于更换
• 炸管原因多为：驱动不足、直通、浪涌、环路振荡、假芯片
• 三相逆变器随机炸管可能因初始化时栅极未拉低；上电时建议慢慢加电压，或加预充电
• 交错PFC需220V以上才有效果，低压下损耗可能增加
• 三电平拓扑（T型）可用三个低压管配一个高压管，降低开关损耗

核心参与者

• 辽、想、林、Echo、椎、不*、52Hz等

具体细节

• 板鸡批发称两天耗尽50个MOSFET，光耦全用光
• 不*使用OptiMOS5（BSC037N08）4毛钱一颗，效率97.32%
• 辽*推进三电平“三低一高”方案（3×50V+1×100V），频率可压到5kHz
• 52Hz公司产品全用SiC/GaN，但采用老拓扑（PFC+LLC）和平面变压器

5. 采样与信号调理

讨论焦点

• 电流/电压采样噪声、电荷桶滤波、差分信号、CKSR传感器

关键观点与结论

• ADC采样必须加电荷桶电容（4.7nF+100Ω），紧靠引脚
• 差分信号必须双绞且与电源同排线传输
• CKSR拆机件可用，但若干扰大可能是器件损伤或布局问题
• 用电流互感器并联10Ω电阻可代替电流探头
• 采样电路基准漂移根因未定，但电荷桶滤波可缓解

核心参与者

• 山所、林、阿、看、Ccyiileo、Chuaaa等

具体细节

• 林*反馈CKSR拆机件很稳，耐造，可反复拆卸
• 阿*用TMS320F280049，配置PWM触发采样，但三路ADC转换时间不一致疑为伪差分失败原因
• 山*所建议PWM计数到0和满时都触发ADC，所有控制环同频率放在同一中断
• 电流采样中，红*反馈PFC输出100V/整流40V，被建议检查是否被动整流

6. 仪器与调试工具

讨论焦点

• 示波器、功率分析仪、电流探头、VOFA调试软件

关键观点与结论

• 电力电子调试不宜用VOFA（串口产生噪声回路），可用DAC直接输出内部信号到示波器
• 高压差分探头必须≥1000元，电流钳两三百即可
• 功率分析仪是效率测量的关键，学校常缺，可自购或借用
• 电流探头对调试必不可少，示波器地线缺失会导致波形异常

核心参与者

• 想、辽、咸鱼、G工、H工、I工等

具体细节

• 想*自购示波器送四个探头和一个高压隔离探头；学校有Keysight 34461
• G工公司有Keysight差分探头、Bode 100、热成像（35万）
• 咸鱼介绍开源电流探头400元，泰克2系示波器两通道不够用
• 辽*推荐捷配打样，开孔5mm以下当天出货

💡 技术/价值沉淀

• PFC电流内环需要开关纹波，不应低通滤波，否则相位裕度崩掉
• 外环PI必须引入Ts（离散化），否则参数无意义
• 空载调参必败，先带载调电流内环
• 电荷桶滤波（4.7nF+100Ω）是ADC采样噪声的实践解
• 辅助电源耐压需留足余量，母线电压65V时选100V级芯片
• 电赛炸管多为驱动和环路问题，建议初始化拉低栅极、加软启动
• 三电平“三低一高”拓扑用硅管可击败GaN/SiC方案，效率高且便宜
• 功率分析仪三相测量须接全三相，取最差指标
• 直流母线电压须高于输入峰值，否则PFC无法正常升压
• 示波器必须接地良好，否则测功率板会造成暗伤

🔄 历史话题追踪

• 🔄 [GaN与硅效率对比]：今日讨论三电平“三低一高”硅管方案效率高，GaN/SiC在低压不推荐，硅器件可靠性共识强化
• 🔄 [PFC Boost空载电压泵升问题]：今日强调空载启动危险，建议带载调好后空载，并允许负电流指令
• 🔄 [平面变压器可靠性]：52Hz提及公司辅助电源全用平面变压器，但未讨论可靠性，问题仍存
• 🔄 [锁相环在弱电网整流中的适用性]：今日有疑问“锁相环遇上电网PF值能高吗”，PR无需锁相的观点再次出现
• 🔄 [AI完全取代底层开发的可行性]：今日GPT/codex生成PR代码导致问题，AI仅能辅助框架，底层调试仍需人工
• 🔄 [PFC电流采样同步与触发配置问题]：山*所明确PWM计数到0和满触发ADC，所有环同频在同一中断
• 🔄 [DSP串口通信对实时采样影响的优化]：VOFA被批占用周期且形成噪声回路，建议用DAC输出
• 🔄 [三相维也纳+DQ+SOGI控制方案争议]：今日PR vs DQ争论延续，SOGI被批过时，PR持续占优
• 🔄 [CKSR电流传感器输出噪声排查]：拆机CKSR干扰大，建议转差分，但伪差分失败原因在查
• 🔄 [采样电路基准漂移与信号同相异常]：电荷桶滤波反复强调，但根因未定位
• 🔄 [PCB接地策略与ADC采样干扰]：数模地连接用0Ω或磁珠，隔离地平面，但无根本突破
• 🔄 [单相无桥PFC电网电流畸变]：今日大量调试，通过调PR参数、加大母线电容、换CKSR改善，但弱电网尖峰仍存
• 🔄 [单相PFC整流器母线电压波动与电流谐波抑制策略]：母线电压过低导致整流异常，PWM开启后电压会上升，需确保大于峰值
• 🔄 [电赛系统主控与器件选型争议]：今日深入讨论C2000(F280049/0039) vs STM32G4，电源推荐C2000，STC性价比低
• 🔄 [ZMPT107电压互感器线性度争议]：优信电子101B线性度好但停产，只剩107
• 🔄 [STG474死区时间BUG]：今日确认G4 HRPWM存在bug，占空比设置3%输出97%，导致炸管
• 🔄 [NSI6602隔离驱动芯片问题]：UCC21520假货频发，NSI6602获推荐替代
• 🔄 [PR单电压环自激震荡与参数整定]：今日总结外环参数安全范围（kp<0.05, kr 10-30, wc 1-2），空载调参必败
• 🔄 [三相逆变器负载调整率一相不达标]：今日通过增大外环kr至60改善，但未彻底解决
• 🔄 [三相逆变器空载SPWM波形畸变]：今日开环波形异常，建议检查采样、驱动、调制
• 🔄 [PFC启机大电流冲击]：今日建议增加软启动、限流电阻、减小母线电容
• 🔄 [UCC21520驱动IC频繁烧毁]：今日多例假芯片故障，推荐NSI6602替代
• 🔄 [DPWM自举不足导致掉驱动]：自举电容至少10μF，推荐22μF，今日再次强调
• 🔄 [PFC+三相逆变级联启动异常]：建议先PFC后逆变，或同时启动加防冲击，今日讨论先被动整流再开逆变较稳
• 🔄 [三相逆变器随机炸管]：今日有案例，建议初始化拉低栅极
• 🔄 [电赛A题AC-AC变换效率优化挑战]：效率卡在95.8%~96.3%，拆LED、降频、改LDO等微优化
• 🔄 [PFC调制比算法错误致连环烧毁]：母线电压低于峰值时调制比猛增，需确保母线电压裕量
• 🔄 [自举电容选择与低频驱动丢失]：DPWM下自举电容≥10μF，推荐22μF
• 🔄 [双PR控制三相三线输出电压不平衡]：今日通过调采样、调参数改善，但未根本解决
• 🔄 [磁环选材（黄环/黑环/蓝环）]：推荐铁硅铝，日系磁环被批，美国货可用，韩国货不碰
• 🔄 [EMI Y电容悬空]：Y电容接地困难，实验室无地线，讨论接法但未定论
• 🔄 [三相负载公共端接地问题]：共地干扰导致功率因数跳动，建议加共模电感、隔离示波器
• 🔄 [PFC开环必炸]：今日多人强调开环PFC必炸，指导老师让开环是误人
• 🔄 [单极性倍频PFC MOS管反复炸]：今日有相关讨论，但未彻底解决

⚠️ 争议与未决问题

• PR vs DQ控制路线争议持续，PR派通过实例证明DQ在弱电网下产生谐波、MOS击穿，但电机控制场景仍有支持者
• PFC控制频率配置存在分歧：一种说法是内外环与中断同频，另一种是内外环同频即可，未获权威确认
• 三相三线电压不平衡0.1-0.2V，部分归因采样，校准后仍存在，未完全解决
• 辅助电源耐压问题：65V芯片在62V母线仍炸，是否需更高耐压仍有讨论
• 林*的PFC 38VAC入80VDC出180W跑1小时后炸机，原因不明
• 三相逆变输出两个相同、一个偏大，换板无效，怀疑采样或环路，未解决
• HRTIM通道冲突（PFC+逆变）只能输出其一，软件未查出原因，已放弃排查
• 开环PFC是否必炸有争议，但多数认为必炸
• 电赛评分细则（如电压误差0.1V）普遍不清楚，只能等测评当天

📊 活跃度洞察

• 群内从凌晨到深夜持续高活跃，核心成员几乎全程在线，体现了电赛备赛的紧张氛围
• 讨论质量较高，包含大量具体参数、型号和实测数据，干货密度大
• 存在多个“实战派”大佬（山所、辽等）给出直接可用的调试建议
• 同时也存在不少求助帖，问题描述具体，但部分未获明确解答，成为历史话题
• 整体氛围务实、互助，有调侃但技术主导，深夜仍有大量技术交流

📅 Appendix: 话题时间线

• 00:01-00:19: Y电容接地、核心板设计、PFC输出异常（100V/40V）讨论
• 00:20-00:35: 图腾柱PFC调试、效率优化、隔离方案、三相逆变故障（B相烧管）
• 00:36-00:55: 数模地连接、双电感PFC参数分享、光纤差分驱动
• 00:56-01:05: 汉芯事件回顾、三相逆变内环电压异常、测评电压规则
• 01:06-01:26: 辅助电源模块、设计报告页数、PFC空载启动危险
• 01:31-01:58: 辅助电源炸毁（TPS34360）、PFC交流采样异常、开环逆变不平衡
• 02:00-02:25: 变压器选型、SiC效率、负载调整率、双PR参数讨论
• 02:26-02:47: 三相逆变母线电压、共模电感、PR控制“太废物”、闭环完成
• 02:48-03:06: 采样跳变、无桥PFC电压上不去、GPT生成PR代码、鼓包电容、MOS炸管
• 03:07-03:26: 电流波形异常、负载不平衡、效率未达标（缺功分）、MOS发热、保险丝烧毁
• 03:27-04:18: 四个环路四个PR、采样通道差异、CRM交错、PFC切频炸机、辅助电源接法、驱动自举电容
• 04:19-05:02: 双向DCDC采样问题、开环逆变波形异常、PFC电流环采样方向、三相逆变C相下管无输出、驱动电阻讨论
• 05:03-05:54: 贴片MOS散热、1nF电容失效、APFC双闭环电流M波、三相功率因数下降、DPWM饱和、端子选型、嘉立创封装坑
• 05:55-06:20: 保险丝选择（7A/10A）、电感饱和（3mH换1mH）、三相输出不平衡、PR参数外环饱和、ADC标定误差
• 06:21-07:08: 示波器没地线导致波形异常、闭环升压问题、UAC线电压偏低、差分采样讨论
• 07:16-08:00: 三相测量必须全测、加Kr掉电压、母线电压低于峰值问题、效率测量方法、保险丝烧毁
• 08:00-09:00: 效率93%卡点、SPWM/SVPWM升压失败、母线电压振荡、PFC切频炸机（60Hz切30Hz）、示波器地线问题
• 09:00-09:56: PFC外环Ki需除中断频率、国内PWM整流器历史、功率因数跳变、负载变化导致PF下降、辅助电源炸毁（CKSR损坏）、图腾柱PFC人才稀缺
• 09:56-10:55: 输出电压需降至65V、静态功耗优化、LDO选型、隔离变压器容量不足、现场仪器条件、三相线电压测量规则
• 10:55-11:22: 三相线电压对称性、PFC启动时序、控制频率配置（10kHz单极性倍频）、电感啸叫、大功率掉压、AI生成代码参数被质疑
• 11:22-11:42: 无线充电项目（飞行电源）、多电平逆变器、辅助电源取电、栅极电阻调试（30R+15R）、差分探头价格
• 11:42-12:05: TO252封装、桥臂导通驱动芯片烧、三相Vienna整流器、F280039 PWM数量、差分探头采购、PFC电流畸变（接50Ω负载）
• 12:06-12:35: PI参数与限幅、烧保险丝（3A/5A）、静态功耗0.448W、G4供电2.5V、自举驱动整流、浪涌电流计算（4mF时>500A）
• 12:36-13:09: 慢慢上电防炸、效率97.32%（OptiMOS5）、CKSR烧毁问题、电瓶车控制器拆件参考
• 13:10-14:19: 淘宝假芯片（G474）、PFC调不出来、电赛无基础/提高分、PLECS不收敛、SVPWM+QPR毕设、三相线电压蠕动、PCB制板未到工序
• 14:20-15:00: 单相逆变并联炸机、PFC功率因数掉落、示波器触发高频抑制、赛事警告加时赛、PFC+逆变合体烧传感器、三相四线预测
• 15:01-16:00: 调压器保险丝烧、功率分析仪手册求取、三相电阻不平衡稳压、SHEPWM疑问、整流桥方案效率差、负载调整率讨论、过零点切换
• 16:00-17:00: 隔离SPI开槽被判拼版、铁硅铝电感选型、捷配打样、MOS选型（SFG10S10PF）、跨阻放大器、碳化硅警告、主控选型（G474降频）
• 17:00-18:00: 评分细则当天才出、省一比例、全隔离方案、辅助电源损耗、电路板化学制版、无桥PFC功率因数调整、交错PFC讨论
• 18:06-19:00: 硅方案95.7%够用、三电平拓扑（渠式）、平面变压器、磁环选材（忌日货）、交流输入电流限制、功分接线问题
• 19:01-20:00: HRTIM通道冲突（PFC与逆变只能二选一）、功率管选型（TO-247）、PFC训练参数建议（48VAC→120VDC）、就业导向PFC练习
• 20:09-21:00: 280049C vs 280049选型、CKSR拆机干扰、伪差分失败、ADC多通道同步、MOS关断米勒误导通、开环PFC风险
• 21:01-22:00: 无桥PFC调试困难、整流桥方案效率、三电平入门推荐T型、混合器件（硅IGBT+SiC二极管）、友人A找200A MOS、自举驱动改悬浮、DTC讨论
• 22:00-23:00: 电赛代打组织、东微管线评价、无源器件选型（艾华/江海电容、法拉MKP、EE磁芯）、综测与邀请赛细节、HRTIM bug确认（G4）
• 23:07-23:49: 上电冲击炸管、无桥PFC难度、SOGI一屋子人搞、效率抠辅助电源、北京队定制器件、G4 HRPWM bug详情、DSP选型（F280039更便宜）、示波器购买、电流探头替代方案
• 23:50-23:59: 功率分析仪不够用、闲鱼抢设备、8通道功分展望、辽宁厂将推双向交流源

每日群聊情报简报

📊 今日概览

• 情报归属日期：2026-07-31
• 原始解析消息数：3292 条
• 过滤后有效消息数：3178 条
• 文本总长度：200302 字符
• 活跃人数估算：约50人（基于摘要涉及昵称）
• 主要讨论话题：
• 电源板烧毁与AI代码风险
• 电赛效率优化（硅 vs GaN、拓扑、磁材）
• 三相逆变器调试（不平衡、波形畸变、采样）
• PFC控制与调试（电感选型、PID、拓扑）
• 驱动芯片可靠性（UCC21520、EG2104等）

🔥 核心讨论

1. AI写代码导致电源板烧毁

• 讨论焦点：AI生成代码用于电源控制，导致100V耐压功率管在PFC输出200V下击穿烧毁。
• 关键观点与结论：
• AI可写状态机，但环路控制不能交给AI。
• 一页纸长提示词仍无法避免AI出错，需人工逐行检查。
• 建议提示词写清具体细节、让AI写注释后人工检查。
• PFC增加串口向VOFA发送数据后，输入端电流环失控，有人建议少用DMA多用DAC。
• 核心参与者：当事人、张*工等。
• 具体细节：
• 案例：100V管子被AI代码控制在200V输出，导致炸管。
• 故障过程：变压器嗡嗡叫→闻到异味→关闸检查→器件烧没。
• 工矿设备整流器也有AI写程序炸机案例。

2. 磁环选型与电感发热

• 讨论焦点：20kHz、3.5A下黄环磁环发热严重，如何选材。
• 关键观点与结论：
• 黄环不适合，应用黑环或铁硅铝（蓝环），可把频率降到10kHz。
• 蓝环（铁硅）抗直流偏置好但高频损耗高；黑环高频损耗低但大电流下电感衰减大。
• 小电流低频两者区别不大，大电流低频选蓝环，大电流高频选黑环。
• 核心参与者：多位群友。
• 具体细节：
• 整流侧两个330μH电感发烫，输入电流3.5A，开关频率20kHz。
• 总效率86%，用黄环20kHz。
• 可换铁硅铝330μH，或降频。

3. 3kW PFC/LLC方案设计（C*分享）

• 讨论焦点：3kW电源产品设计，自冷无风扇，效率要求97%。
• 关键观点与结论：
• 4.3kW方案为交错CRM无桥PFC，当前3kW用CCM无桥硬开关，两颗SiC器件。
• 3kW不交错CRM则THD过不了。
• 4875拓扑：CRM交错无桥PFC + 全桥LLC（定频移相）；另一款CCM无桥PFC + 全桥LLC。
• 尽量不用SiC/GaN，但卡体积卡散热只能用SiC。
• 核心参与者：C、辽、张*工等。
• 具体细节：
• 自冷散热、无风扇，跑满3.2kW，环境55℃无散热片压壳安装。
• 两环叠用60磁导率磁环，初始感量510μH，3kW时衰减到约430μH。
• 现有4850峰值效率95%，满载94.2%。
• 张*工高密度电感集成法：三柱磁芯，外柱正绕、中间柱反绕，外柱1/2线粗，中柱全线粗，等效储能电感+裂相电感。
• 半无桥 vs 全无桥损耗争论：C认为半无桥多十几瓦，辽反驳慢臂用低内阻MOS更少。

4. 效率优化与GaN vs 硅

• 讨论焦点：电赛效率如何提升，硅器件 vs GaN的取舍。
• 关键观点与结论：
• 华科整机98.2%用GaN，但多起坠机（炸管）。
• 硅MOS可做到97%以上，有硅99方案。
• GaN需负压关断、太脆、无体二极管，易炸。
• 三电平可保98%左右。
• 整流器上220V做好效率99%出头。
• CRM模式可消除开关损耗，理论上单级CRM可做99%，但单片机消耗约0.5%。
• 核心参与者：AAA辽宁重型机械厂、W.、775626356等。
• 具体细节：
• 各队效率：😇整流95.6%、逆变97%；想到快神经95.8%；775626356整机95%；Z⁻¹ 95%；哇咔咔95%。
• 用GaN队伍“最后都坠机”，去年有GaN队省测后装置自焚。
• 20kW船用无刷驱动想用GaN因耐压不足被否。
• 磁集成电感：双中柱结构，输出功率刚好适用。

5. 三相逆变器问题

• 讨论焦点：三相不平衡、波形畸变、采样问题。
• 关键观点与结论：
• 三相输出波形抖动属正常，只要有效值不变，前级PFC本身抖动。
• 开环正常，闭环后几秒波形塌陷（未决）。
• 采样不同步可能导致三相不平衡，张*工建议采IinC。
• 三相不平衡可通过修改换算比例解决（31.6V vs 32V）。
• SVPWM马鞍波需归一化：先除1/2udc，再+1.0f，再乘以ARR/2。
• 差分采样模式带直流分量，不要用虚拟阻抗，直接外环PR内环PR。
• 核心参与者：山西、张工、日落大道*等。
• 具体细节：
• 三相不平衡实例：两线电压32V，一线31.6V。
• 双PR参数尝试：外环Kp=0.1,Kr=100,Wc=1；内环Kp=5,Kr=50,Wc=5。
• 互感器饱和：30Hz疑似饱和，需换互感器或降低输出电阻。
• 开环测试30Hz/60Hz均正常，60Hz时ZMPT101B出现相位差。

6. PFC控制与调试

• 讨论焦点：PFC电压泵升、PI限幅、开环必炸等。
• 关键观点与结论：
• PFC越憋劲电压越高（电压型整流器特性），电流型才能越整越低。
• 启动态积分积满导致母线电压回不来，限制PI积分即可。
• PFC绝对禁止开环，只能不发波当被动整流，发波必须闭环。
• 图腾柱PFC使用470μH电感，交流侧电流3A需查因。
• 核心参与者：辽、张工、某硅渣等。
• 具体细节：
• PID参数：Kp=0.01,Ki=0.7，Ki调高后上电波形乱抖。
• 积分限幅：程序参数“积分36限幅，输出4.5限幅”。
• 内环PR应限幅输出，外环PI不一定限。
• 单极性倍频PFC MOS反复炸，需确认负载电压与电流反相。

7. 驱动芯片可靠性

• 讨论焦点：UCC21520、EG2104等驱动芯片频繁故障。
• 关键观点与结论：
• UCC21520假芯片多，推荐NSI6602替代。
• EG2104缺点：莫名其妙发扫、出波丑、爱爆、驱动无力、噪声高；IR2104好一点，推荐27525。
• 27712假货多，曾买十个5个上管举不起来5个下管发不出波。
• 核心参与者：多位群友。
• 具体细节：
• NSI6602 pin-to-pin兼容，假货少。
• 驱动芯片供电隔离电源B1212S发热问题未解。

8. EMI与电容配置

• 讨论焦点：输入波形异常、EMI布局。
• 关键观点与结论：
• 输入波形异常缺X电容，交流侧缺滤波电容。
• X电容与共模电感顺序：电容-电感-电容。
• EMI电路Y电容可直接悬空。
• 核心参与者：油、辽、哇*等。
• 具体细节：
• X电容用2.2μF MKP。
• 去掉EMI现象依旧，主要看电容/X电容。

💡 技术/价值沉淀

• 硬核知识：
• 磁环选材：黄环（铁粉芯）不适合大电流PFC，应用铁硅铝（蓝环）或黑环（铁硅铝？），具体根据频率和电流选择。
• 电压型整流器（PFC）输出特性：越憋劲电压越高，电流型整流器才能降压。
• CRM模式可消除开关损耗，理论效率高，但单片机本身消耗约0.5%。
• SVPWM调制波归一化步骤：除以1/2udc→+1.0f→乘以ARR/2，防止跑飞。
• PI限幅：内环限幅，外环不一定限；积分抗饱和可用位置式PI。
• PFC开环必炸，必须闭环或被动整流。
• 驱动芯片选型：优先NSI6602（替代UCC21520），非隔离驱动推荐IR2104、27525。
• 排错经验：
• AI生成代码需人工检查环路控制，避免炸机。
• 三相不平衡检查采样同步、线相转换。
• 互感器饱和表现为波形畸变，可降低输出电阻或换磁芯。
• EMI问题检查X电容、共模电感顺序。
• 资源分享：
• 仿真案例中可按缩写查找CRM仿真。
• 示波器CSV导入MATLAB计算THD需注意采样率。

🔄 历史话题追踪

• t_cebf7813 GaN与硅效率对比：🔄进行中。今日大量讨论，硅器件可靠性占优，GaN易炸；有硅99方案，三电平保98%。
• t_41f68760 PFC Boost空载电压泵升：🔄进行中。今日讨论PFC电压特性，越憋劲电压越高，需限制PI积分。
• t_1d52474a 单相无桥PFC电网电流畸变：🔄进行中。今日通过调整PR参数（kp=5, kr=20）等改善，但电网畸变时尖峰仍存。
• t_4a3fc4dc PR单电压环自激震荡：🔄进行中。今日尝试双PR参数（外环kp=0.1, kr=100, wc=1；内环kp=5, kr=50, wc=5），无系统整定方法。
• t_a726a368 UCC21520假芯片引发大规模故障：🔄进行中。今日继续推荐NSI6602替代。
• t_311dbccd AI完全取代底层开发的可行性：🔄进行中。今日AI写PFC代码导致炸管，确认AI不能做环路控制。
• t_34aa42f1 电赛系统主控与器件选型争议：🔄进行中。今日讨论G4性能，可行但需提前准备。
• t_06c09aaf 三相下垂控制有功环稳定性：🔄进行中。今日有VSG预同步疑问，未深入。
• t_4ee23d90 单相并网逆变器PR控制电流畸变：🔄进行中。今日提到PR参数调整，未彻底解决。
• t_a6aa2163 三相逆变器空载SPWM波形畸变：🔄进行中。今日讨论开环闭环波形塌陷，与采样和驱动相关。
• t_89dafce1 双PR控制三相三线输出电压不平衡：🔄进行中。今日继续调试，通过调比例改善。
• t_c3bb0956 PFC+三相逆变级联启动异常：🔄进行中。今日建议软启动板，防跳闸。
• t_37673139 自举电容选择与低频驱动丢失：🔄进行中。今日讨论DPWM下自举电容需10μF以上。
• t_9981e60d 三相逆变器随机炸管：🔄进行中。今日有MOS炸管案例，建议初始化拉低栅极。

⚠️ 争议与未决问题

• 三相不平衡：是否由采样不同步引起未最终判定，张*工建议采IinC。另可通过修改比例改善。
• 电感电流达20A：使用CKS采样仍存在，未解决。
• 互感器饱和：无备用件，换传感器是否可行无人明确回答。
• PFC相位偏移：按PFC按钮时电流突增，原因未解。
• 单极性倍频PFC MOS反复炸：无定论，建议检查方向。
• DEAD TIME 200ns→400ns能否提高效率：未回答。
• 三相负载公共端接地/悬空：无人回答。
• 输入电压被拉低2V：是否正常无人回答。
• 负载调整率测试方法：空载/带载切换是否可行无人确认。
• ZMPT101B频率范围：手册未查到，未决。
• 隔离电源B1212S发热：无解决方案。

📊 活跃度洞察

• 整体氛围：高度活跃，电赛临近，讨论密集，涉及大量具体调试细节。
• 讨论质量：技术含量高，有资深工程师（张工、辽等）提供实战经验，也有新手提问。
• 趋势：效率追求极致，硅器件成为主流选择，GaN多被否定；AI工具在电源开发中被警惕。

📅 Appendix: 话题时间线

• 00:02-00:17: 电源板烧毁故障：采样电阻劈两半、板子碳化。
• 00:12-00:17: AI生成代码导致100V管子击穿（200V输出）。
• 00:13-00:14: AI环路控制不可靠，需人工检查。
• 00:15-00:16: PFC串口干扰电流环，电压型整流器特性。
• 00:17: 设备清单（罗德、日置）。
• 00:18-00:19: AI辅助写法建议。
• 03:17: 运放输出不等问题。
• 11:49-11:52: 三相逆变效率提升0.01%，互感器饱和，振铃。
• 14:12-14:13: BLDC电机控制dq变换。
• 16:19-16:20: RC吸收电路布局、效率讨论。
• 16:20-16:21: 采样电阻、电子负载测量。
• 16:22-16:29: 电感选材：黄环/黑环/蓝环。
• 16:25: 总效率86%。
• 16:31-16:35: C*分享3kW方案（60磁导率磁环、CCM vs CRM）。
• 16:38-16:43: THD、效率97%、4875拓扑。
• 16:47-16:49: SiC版本、4850效率。
• 17:00-17:03: CRM极限5kW，张*工半无桥。
• 17:03-17:06: 高密度电感集成法（三柱磁芯）。
• 17:05-17:06: 三相逆变波形塌陷，EC磁芯对拼。
• 17:06-17:09: 竞标要求97%，正负压电源，半无桥损耗争论。
• 17:11: 单极性倍频电感一致性，PFC总感量。
• 17:29-17:33: 板子评审，与门缓冲。
• 17:33-17:43: 复刻小程序，晒板子。
• 17:46-17:51: 整流电压电流反向，ZMPT101B频率范围，环牛畸变。
• 17:54-17:57: EMI共模电感啸叫，X电容。
• 17:56-18:01: 100Ω负载保护，电感绕制。
• 18:01-18:04: 交流源替代调压器，比赛限制。
• 18:06-18:08: 老师改DQ代码，G4性能。
• 18:08-18:16: 转发记录：四个电源组没跑出来。
• 18:18-18:19: 无桥APFC调试，视觉训练。
• 18:20-18:22: 单相DQ控制困难，占空比梗。
• 18:22-18:27: 比赛预测：三相四线劈相机。
• 18:34-18:38: 双PR参数，测评仪器。
• 18:39-18:42: PFC关断电阻，效率95.8%。
• 18:46-18:47: GaN炸管，输入116W。
• 18:48-18:49: THD计算，万用表误差。
• 18:50-18:52: 直流负载CV模式，现场测评表。
• 18:52-18:55: 并管损耗，陕西赛区经验。
• 18:56-18:59: 换管子，假货。
• 19:00-19:02: 效率对比，保险丝烧毁。
• 19:03-19:07: 按键调节，30/60Hz，效率跳动，湖北赛区。
• 19:08-19:11: 测评设备PF3000M。
• 19:13-19:18: 接线图，测试线类型。
• 19:17: PFC PID系数问题。
• 19:20-19:23: 效率评分方式。
• 19:24-19:27: 反激电感，按键调节，整流效率95.6%。
• 19:27-19:29: 德力西断路器，隔壁队。
• 19:29-19:31: 设计报告页数，测评准备时间。
• 19:32: 效率仍不够。
• 19:34-19:43: 效率数据：硅97%、华科98.2%、三电平98%。
• 19:43-19:45: GaN缺点，SiC看法。
• 19:46-19:49: CCM拓扑（IGBT+MOS），CRM（四个MOS），电感方案。
• 19:47-19:51: PI限幅，积分饱和。
• 19:52-19:53: 高压题历史，政策收紧。
• 19:54-20:06: 15t60sd1f vs 540n，PI限幅，EMI干黑，效率85-88%。
• 20:07-20:09: 功率因数0.866，线损。
• 20:15-20:17: 三相不平衡采样，PFC MOS烧毁。
• 20:19-20:23: PR输出与电感电流，感量760μH，电流20A。
• 20:26-20:31: SVPWM三相不平衡，双PR马鞍波异常。
• 20:32-20:33: 电流采样时间，占空比限幅，互感器饱和。
• 20:38-20:44: EG2104缺点，输入电压拉低，负载公共端。
• 20:48: 负载调整率测试。
• 20:49-21:05: 30Hz/60Hz测量，互感器饱和，铁芯互感器。
• 21:06-21:08: 采样窗口10周期，逆变同相。
• 21:12: DPWMA电流环固定误差。
• 21:19-21:25: 效率96%，PFC降频10k，THD，管子发烫。
• 21:24-21:30: 三相不平衡修改比例，PFC相位偏移。
• 21:33-21:34: 单极性倍频炸管，功耗优化。
• 21:36-21:41: 水泥电阻，PI限幅，图腾柱PFC电流3A，三相逆变畸变。
• 21:42-21:47: 硅管98.5%真实性，CRM，逆变参考电压。
• 21:54-22:00: CRM仿真，双PR解决三相不平衡，SOGI锁相5度差，互感器噪声。
• 22:04: ADC差分采样带直流分量。
• 22:06-22:08: PCB打样，电感蜂鸣。
• 22:11-22:12: 电感量470uH，网口控阻抗。
• 22:12-22:14: 30Hz/60Hz采样相位差。
• 22:17-22:19: 马鞍波归一化，ZMPT101B信噪比。
• 22:24-22:27: 母线电压，相电压幅度。
• 22:26: 三相电压调不平。
• 22:30-22:32: 开环闭环判断，效率95%。
• 22:41: PFC开环必炸，直流侧电容7000uF。
• 22:45-22:46: 内环强制整定，变压器跳闸。
• 22:49-22:53: 相位关系，VOFA串扰，软启动板，星形负载公共端。
• 22:54-22:58: 逆变闭环频率低，反馈方向。
• 23:00-23:04: 输出电压飘，交流走线，负载调整率，PFC轻载。
• 23:06-23:08: SVPWM归一化细节，储能电感绕制。
• 23:10-23:15: 粗线连接，效率95%，负载调整率，环牛问题。
• 23:16-23:18: 不要擦边，双PR差0.02，放弃调精度，明年计划。
• 23:19-23:22: 磁环颜色区别，效率95%多。
• 23:22-23:24: 输入波形缺X电容，电容-电感-电容顺序。
• 23:24-23:25: 帮学弟调PFC，LISN。
• 23:28-23:30: 耐压测试，三相电阻90Ω。
• 23:30-23:32: 效率提升，97%效率怀疑，炸机。
• 23:33-23:34: 硅MOS 95.8%，CRM，三相输出毛刺，PFC加EMI。
• 23:38-23:41: 极限效率96.3%，CRM理论99%，单片机消耗。
• 23:45-23:49: 死区200ns改400ns，磁集成电感，电感发热。
• 23:49-23:53: 短路比，按键微调，并绕电感，效率90%。
• 23:55-23:59: 验证代码，Y电容悬空，仪器设置。